不揮発性メモリーセル、メモリーセルアレイおよび不揮発性メモリーセルの製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-547433
公開番号（公開出願番号）：特表2006-504278
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

本発明は、不揮発性メモリーセル、メモリーセルアレイおよび不揮発性メモリーセルの製造方法に関するものである。不揮発性メモリーセルは、チャネル領域として設計されたナノ素子を有する垂直電界効果トランジスタと、ナノ素子を少なくとも部分的に取り囲む、電荷蓄積層として、および、ゲート絶縁層としての電気絶縁層とを備えている。この電気絶縁層は、電気的な電荷担体をその内部に選択的に注入でき、または、その内部から除去できるように設計されており、電気絶縁層に注入された電気的な電荷担体によって、ナノ素子の導電性に特徴的に影響を及ぼすように設計されている。

請求項（抜粋）：

チャネル領域として設計されているナノ素子を有する垂直電界効果トランジスタと、電荷蓄積層およびゲート絶縁層として上記ナノ素子を少なくとも部分的に取り囲む電気絶縁層とを有し、上記電気絶縁層が、電気的な電荷担体が、その内部への注入、または、その内部からの除去が選択的に可能になるように設計されており、ナノ素子の導電性が、上記電気絶縁層に注入された電気的な電荷担体によって、特有の影響を受けるように設計されている、不揮発性メモリーセル。

IPC (9件)：

H01L 21/824 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , C01B 31/02 , H01L 27/10 , H01L 29/06 , H01L 27/115 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (10件)：

H01L29/78 371 , C01B31/02 101F , H01L27/10 451 , H01L29/06 601N , H01L27/10 434 , H01L29/78 613B , H01L29/78 618B , H01L29/78 617K , H01L29/78 617S , H01L29/78 626A

Fターム (63件)：

4G146AA07 , 4G146AA11 , 4G146AA16 , 4G146AB05 , 4G146AD17 , 4G146AD28 , 4G146AD30 , 4G146BC09 , 4G146BC42 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083ER03 , 5F083ER21 , 5F083GA09 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA31 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR21 , 5F083PR40 , 5F101BA43 , 5F101BA45 , 5F101BA47 , 5F101BC02 , 5F101BD01 , 5F101BD16 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F110AA04 , 5F110BB08 , 5F110CC09 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE24 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF10 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG22 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-246712 出願人：株式会社東芝
MOS型半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-272970 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-157273 出願人：株式会社東芝, 大見忠弘

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