特許
J-GLOBAL ID：200903095232562486

配線用シード膜および半導体装置の配線方法

発明者：
宮廻 多聞

宮廻 多聞 について

, 
田口 充

田口 充 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-317861
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124216
出願日： 2001年10月16日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 低コストにて歩留まり,信頼性,電気的特性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】 絶縁膜60上の下層絶縁膜61に銅の下層配線62を形成(S61)した後、プラズマCVD法により層間絶縁膜63,ストッパ膜64を順次形成し、ストッパ膜64における下層配線62上に孔64aを形成してから、ドライエッチングして層間絶縁膜63にコンタクトホール63aを形成する(S62)。その後、上層絶縁膜65を形成しマスク66を介してドライエッチングすることにより、上層絶縁膜65に溝部65aを形成すると共に、コンタクトホール63a中の上層絶縁膜65を除去する(S63)。そして、バリア膜67を形成(S64)した後、Cu-Ni膜,Cu-Zn膜,Cu-Zn-Ni膜のうち何れかを堆積してシード膜68を形成する(S65)。
請求項（抜粋）：
銅を主成分とし、下地層上に埋め込み配線を形成する際の導体膜として用いられる配線用シード膜において、前記銅よりもイオン化傾向が大きく、且つ2A族から8族または1B族から7族の範囲内にある元素のうち、何れか一つまたは2つ以上の金属を含有したことを特徴とする配線用シード膜。
FI (2件)：
H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R
Fターム (43件)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033LL09 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW04
引用特許：
審査官引用 (2件)

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