半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343683
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196694
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】高性能なトランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板表面に積み上げ拡散層を形成する工程に於て、半導体基板上に多結晶(非晶質)シリコン膜を堆積し、トランジスタのチャンネル領域部の多結晶(非晶質)シリコン膜をエッチングした後、犠牲酸化を2回行ない、次にゲート電極、ソース、ドレイン領域を形成する。【効果】上記多結晶(非晶質)シリコン膜エッチング後に犠牲酸化を2回行なうため、半導体基板にダメージが残らない。また、チャンネル部より上部に形成されたシリサイド層より不純物を拡散するため、非常に浅いジャンクションを形成することが可能となり、トランジスタの短チャンネル効果を抑制することが可能となる。また、シリサイド領域は半導体基板まで達していないため、リーク電流が少ない。また、不純物注入を行う前にチタンシリサイド層を形成するため、層抵抗を下げることができる。

請求項（抜粋）：

トランジスタのチャンネル領域より上部からソース、ドレイン領域は存在し、該ソース、ドレイン領域は、一部多結晶シリコン膜より成り、ゲート電極側壁と上記多結晶シリコン膜を分離する絶縁膜はゲート酸化膜よりも十分に厚く形成されており、上記ゲート電極は、上記多結晶シリコン膜上部までオーバーラップしていない事を特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 V , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-287171
特開昭63-084162
特開平3-163834

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