特許
J-GLOBAL ID：200903095268450773
光電変換装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 穣平
, 志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-131440
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317639
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
光電変換素子の暗電流を抑える【課題】 【解決手段】 p型半導体層102、n型半導体層103、p型の表面層104を有するフォトダイオードと、フォトダイオード上の一部に形成された反射防止膜108と、フォトダイオードと隣接する素子との間に形成された素子分離絶縁膜105と、素子分離絶縁膜105の下に形成されたp型のチャネルストップ層106と、素子分離絶縁膜105上に形成された配線層107とを備えた光電変換装置において、p型の表面層104の端部上に反射防止膜108が設けられておらず、反射防止膜108の設けられていないp型の表面層104の端部は、反射防止膜直下のp型の表面層104より深く形成されている。p型の表面層104の端部により少数キャリアの拡散を防ぐ。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体領域、前記第1の半導体領域中に形成された第2導電型の第2の半導体領域及び前記第2の半導体領域上に形成された第1導電型の第3の半導体領域を有する光電変換素子と、
前記光電変換素子上の一部に形成された反射防止膜と、
前記光電変換素子と隣接する素子との間に形成された素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜の下に形成された前記第1の半導体領域の濃度よりも高濃度の第1導電型の第4の半導体領域と、
前記素子分離絶縁膜上に形成された導電体層とを備えた光電変換装置において、
前記第3の半導体領域の端部上に前記反射防止膜が設けられておらず、前記反射防止膜の設けられていない第3の半導体領域の端部は、前記反射防止膜直下の第3の半導体領域より深く形成されていることを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA04
, 4M118CA32
, 4M118CA34
, 4M118EA01
, 4M118EA07
, 4M118EA15
, 4M118FA26
, 4M118FA28
, 5C024AX01
, 5C024BX01
, 5C024CX32
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C024HX01
, 5C024HX40
, 5C024HX41
