特許

J-GLOBAL ID：200903095270915180

GaP:N発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 梅田 浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-102816
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293896
出願日： 1996年04月24日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 p型GaP:Nエピタキシャル層の光吸収を少なくし、また、p型ドーパントのZnによる成長系の汚染の問題を軽減して、高輝度のGaP発光ダイオードを得ること。【解決手段】 黄緑色系GaP:N発光ダイオードにおいて、p-n接合のp側領域は複数のp型層より構成され、p型電極に接するp層にはN(窒素)を含有しないことを特徴とするものである。また、p-n接合近傍のp側領域は窒素が添加されたp型GaP:Nエピタキシャル層より構成され、且つこの層のキャリア濃度が2×1016cm-3未満であることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

GaP:N発光ダイオードの素子構造において、p-n接合のp側領域は複数のp型層より構成され、p型電極に接するp層にはN(窒素)を含有しないことを特徴とするGaP:N発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/208

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 21/208 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 発光ダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-117999   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭54-053977
  
• 特開平2-288373
  
• 特開昭54-053977
  
• 特開平2-288373