特許

J-GLOBAL ID：200903095272142200

薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム

発明者： 野寺 伸武 ,  佐藤 潤 ,  山本 和弥 ,  長谷部 一秀
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-253825
公開番号（公開出願番号）：特開2009-117808
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2009年05月28日
要約：

【課題】効率的に薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。【解決手段】薄膜形成装置1の制御部は、洗浄処理において、クリーニングガス供給管10a、10b、10cからクリーニングガスを供給するともに、第1の処理ガス供給管8、及び、第2の処理ガス供給管9から希釈ガスを供給する。第2の処理ガス供給管9内に付着した付着物を除去する場合、第2の処理ガス供給管9からの希釈ガスの流量を、第1の処理ガス供給管8、及び、クリーニングガス供給管10cからの希釈ガスの流量より減少させ、第2の処理ガス供給管9の管内にクリーニングガスを供給する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

反応室内に収容された被処理体に処理ガス供給管を介して処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、 前記装置内部に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該付着物を除去する除去工程を備え、 前記除去工程では、前記付着物が付着した前記処理ガス供給管の管内に前記活性化されたクリーニングガスを供給する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。

IPC (5件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/455

FI (5件)：

H01L21/31 C ,  H01L21/302 101H ,  C23C16/44 J ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

Fターム (31件)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030JA05 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F004AA15 ,  5F004BA03 ,  5F004BB26 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EH18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平3-293726号公報
  

審査官引用 (1件)

• セルフクリーニングが可能な半導体処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-096444   出願人：日本エー・エス・エム株式会社