特許

J-GLOBAL ID：200903095280311258

半導体装置およびその製造方法

発明者： 山下 恭司 ,  小田中 紳二 ,  栗本 一実 ,  海本 博之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-159686
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078684
出願日： 1995年06月26日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 ゲートドレイン間容量が小さく、ショートチャネル効果に強くかつ駆動力が大きい半導体装置を提供する。【構成】 ソース/ドレインに高濃度拡散層15しかないシングルドレイン構造である。そのために駆動力が非常に大きい。またL型側壁14下で接合が浅くなるためにショートチャネル効果に強い。さらに高濃度拡散層15上のゲート酸化膜12が厚いために駆動力を減少させることなくゲートドレイン間容量だけを減少させることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の一主面の選択された領域上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、該半導体基板中の第2導電型高濃度不純物拡散層から形成されたソース/ドレイン領域と、を備えた半導体装置であって、該ゲート絶縁膜の両端部は、該ゲート絶縁膜の中央部より厚く、該ソース/ドレイン領域は、該ゲート絶縁膜の該両端部の下に位置する第1部分と、該第1部分の厚さ以上の厚さを持つ第2部分とを含んでおり、しかも、該第1部分の不純物濃度は、該第2部分の不純物濃度に実質的に等しい、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-315127   出願人：住友金属工業株式会社
• 特開昭61-112379