特許
J-GLOBAL ID：200903095283089157
MOS特性を発現する極薄シリコン酸化膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-282413
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121448
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 MOS特性を発現する極薄シリコン酸化膜を室温において製造する。【解決手段】 プラズマプロセスを用いた酸化膜生成方法において、シリコン基板に正・負バイアス電圧を印加し、さらにシリコン基板を室温に保持する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に正または負バイアス電圧を印加し、もしくは印加することなしに、シリコン基板を室温に保持して、シリコン基板表面をプラズマ酸化することを特徴とするMOS特性を発現する膜薄10nm以下の極薄シリコン酸化膜とその製造方法。
引用特許：
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