ゲートアレイ及び論理回路形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-355999
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158228
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】従来のゲートアレイ内トランジスタ間の配線法では、金属層形成後に配線パターンに併せたマスクを用いてこれをエッチング除去する為、製造工程が煩雑でコスト高であった。更に一度形成された配線パターンは容易に変更できない。【解決手段】配線部に光誘起相転移物質を用いる。初期状態を絶縁状態とし、配線パターンに沿って光照射することでこれを導体化して導体配線を行う。初期状態に戻すにはこれを加熱し導体状態部を絶縁化する。【効果】配線部材に光誘起相転移物質を用いることで、エッチング工程を要さず、またマスクを用いないプロセスとすることで、量産性が大幅に改善される。一度配線パターンを形成した後でもこれらの変更や修正が容易にできるため資源を有効利用できる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されている複数のトランジスタを結線してなるゲートアレイにおいて、該結線部が、安定状態である絶縁状態と準安定状態である導体状態のいずれの状態でも存在可能な光誘起相転移物質の導体状態で構成されることを特徴とするゲートアレイ。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , C01G 3/00 , C01G 49/00 , H01L 27/118

FI (6件)：

C01G 3/00 , C01G 49/00 A , H01L 21/88 A , H01L 21/82 M , H01L 21/88 M , H01L 21/88 Z

Fターム (18件)：

4G002AA06 , 4G002AE05 , 5F033GG04 , 5F033HH31 , 5F033HH35 , 5F033PP26 , 5F033QQ54 , 5F033QQ73 , 5F033VV17 , 5F033XX33 , 5F033XX36 , 5F064AA03 , 5F064BB07 , 5F064CC12 , 5F064EE31 , 5F064FF05 , 5F064FF29 , 5F064FF42

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