特許
J-GLOBAL ID：200903095285013310
固体撮像装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318170
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163971
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 白キズの発生ばらつき、高温動作時の白キズを低減する。【構成】 固体撮像装置の製造方法において、N型シリコン基板1上にウエルであるP-層2を設け、フォトダイオード部であるN型の第4の拡散層6を設け、前記第4の拡散層6の上部に、P型の第5の拡散層10と、前記第5の拡散層10の表面に、より濃度の高いP型の第6の拡散層11を設ける方法による。
請求項（抜粋）：
1導電型の半導体基板上に前記基板と逆導電型の半導体層を形成する工程と、前記半導体層内に前記半導体層と同じ導電型の複数の第1の拡散層を形成する工程と、前記第1の拡散層表面に前記第1の拡散層と逆の導電型の第2の拡散層を形成する工程と、前記第2の拡散層と隣接し、前記第2の拡散層と逆の導電型の第3の拡散層を形成する工程と、前記第1の拡散層間で第1の拡散層から離れた位置でかつ前記第3の拡散層と少なくとも隣接した位置に前記第1の拡散層と逆の導電型の第4の拡散層を形成する工程と、前記第4の拡散層の表面に前記第4の拡散層と逆の導電型の第5の拡散層を形成する工程と、前記第5の拡散層の表面に前記第5の拡散層と同じ導電型でかつ前記第5の拡散層のより高い不純物濃度を有する第6の拡散層を形成する工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 B
