特許
J-GLOBAL ID：200903095322939937
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174208
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007911
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 気密雰囲気下で基板の連続的な加工が可能な半導体製造装置を提供する。【構成】 半導体製造装置はレーザアニールユニット1を備えており、加工対象となる基板4を気密雰囲気下に保持するチャンバを有し、基板4に含まれる半導体にレーザ光5を照射してその電気的な特性を改善する。レーザアニールユニット1の前後に半導体成膜ユニット2及び絶縁物成膜ユニット3が配置しており、同じく基板4を気密雰囲気下に保持するチャンバを有し、基板4に対して必要な薄膜を形成する。各チャンバは気密雰囲気を維持したままゲートバルブ6により接続されている。基板4は所定の工程順に従って先のチャンバから後のチャンバに気密雰囲気下で搬送される。
請求項（抜粋）：
加工対象となる基板を気密雰囲気下に保持するチャンバを備え、該基板に含まれる半導体にレーザ光を照射してその電気的な特性を改善するレーザアニールユニットと、同じく基板を気密雰囲気下に保持するチャンバを備え、該基板に対して必要な薄膜を形成する少なくとも一つの成膜ユニットと、気密雰囲気を維持したまま各チャンバを互いに接続すると共に所定の工程順に従って先のチャンバから後のチャンバに該基板を気密雰囲気下で搬送する搬送手段とを含む半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 Z
, H01L 21/68 A
