特許
J-GLOBAL ID：200903095384816912
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-326929
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177035
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 薄膜半導体素子を単結晶化された活性領域に正確に形成する。【構成】 基板1上に形成された半導体層2に位置合せマーク3を形成する工程と、その後に、位置合せマーク3を基準に、結晶成長核を最終的に活性領域となる位置の近傍に形成するための遮光マスクを形成する工程と、この遮光マスクの開口を通じて露光処理によって半導体層2に結晶成長核を形成する工程と、半導体層2に結晶成長核から単結晶成長を行って活性領域を形成する固相単結晶成長工程と、位置合せマーク2を基準に活性領域に半導体素子を形成する工程とを経ることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された半導体層に位置合せマークを形成する工程と、その後に、上記位置合せマークを基準に、結晶成長核を最終的に活性領域となる位置の近傍に形成するための遮光マスクを形成する工程と、該遮光マスクの開口を通じて露光処理によって上記半導体層に結晶成長核を形成する工程と、上記半導体層に、上記結晶成長核から単結晶成長を行って上記活性領域を形成する固相単結晶成長工程と、上記位置合せマークを基準に上記活性領域に半導体素子を形成する工程とを経ることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 27/11
, H01L 21/336
, H01L 29/784
H01L 27/10 381
, H01L 29/78 311 Y
