特許
J-GLOBAL ID：200903095404550710
半導体素子の短絡保護回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-131451
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323974
出願日： 1999年05月12日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】電流検出用エミッタ付半導体素子の短絡保護回路で短絡電流を急激に抑え込むと、回路の浮遊インダクタンスにより過大な誘導電圧が発生し半導体素子が破壊する恐れがある。【解決手段】複数個の電流検出用抵抗51、52と複数個の保護用半導体素子41、42を接続し、保護用半導体素子41、42を順次導通させ、短絡電流の絞り込みを多段階で行い急激な電流変化を抑えることで誘導電圧の発生を抑え、半導体素子1の破壊を防ぐ。
請求項（抜粋）：
ゲート,コレクタを共通とし、エミッタの一部を分離し電流検出用エミッタとして使用する半導体素子の短絡保護回路において、複数個の電流検出用抵抗を電流検出用エミッタに直列に接続し、複数個の保護用半導体素子のゲートを前記電流検出用抵抗の一端にそれぞれ接続し、保護用半導体素子のドレイン(コレクタ)は半導体素子のゲートに、保護用半導体素子のソース(エミッタ)は半導体素子のエミッタにそれぞれ接続することを特徴とする半導体素子の短絡保護回路。
Fターム (17件)：
5J055AX32
, 5J055AX65
, 5J055BX16
, 5J055CX00
, 5J055DX06
, 5J055DX09
, 5J055DX52
, 5J055EY01
, 5J055EY05
, 5J055EY21
, 5J055FX04
, 5J055FX13
, 5J055FX17
, 5J055FX21
, 5J055FX32
, 5J055GX01
, 5J055GX04
