半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313825
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164344
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】過大電流検出レベル(Ioc)の値と短絡電流検出レベル(Isct )の値とを独立に設定することが可能な半導体装置を提供する。【構成】カレントセンシング機能付半導体素子1には、第1のセンシング部1aと第2のセンシング部1cの2個のカレントセンシング部が設けられ、それぞれのセンシング部1a,1cから主電流6fに比例するセンシング電流1e,1fが取り出される。センシング電流1eは、制御回路2のカレントセンシング用抵抗器72に通流して主電流オフ指令回路74のみに入力される検出電圧(V6 )を生成し、センシング電流1fは、カレントセンシング用抵抗器72aに通流して主電流制限回路75の備えるNPNトランジスタ751のベースのみに入力される検出電圧(V6 a)を生成する。

請求項（抜粋）：

カレントセンシング機能付半導体素子と、制御回路を備え、前記カレントセンシング機能付半導体素子は、一方の主電極と、他方の主電極と、制御極と、カレントセンシング部を備え、前記一方の主電極から前記他方の主電極に向かう主電流の値が前記制御極に入力された信号により制御され、しかもこの主電流の値に対応したセンシング電流が前記カレントセンシング部から取り出されるものであり、前記制御回路は、駆動回路と、主電流オフ指令回路と、主電流制限回路を備え、前記主電流オフ指令回路は、前記センシング電流に対応した信号を入力し、前記センシング電流があらかじめ定められた設定値を超過した場合に前記駆動回路が出力する信号を前記主電流をオフする内容に切り換えさせるオフ指令信号を出力するものであり、前記駆動回路は、前記カレントセンシング機能付半導体素子の備える前記制御極に前記主電流の値を制御する信号を出力するとともに、前記主電流オフ指令回路からの信号を入力しこの信号が前記オフ指令信号となった場合に前記主電流をオフする信号に切り換えて出力するものであり、前記主電流制限回路は、前記センシング電流に対応した信号を入力し、前記センシング電流があらかじめ定められた設定値を超過した場合には前記制御極と前記他方の主電極との間の電圧を抑制する動作を行うものである、半導体装置において、カレントセンシング機能付半導体素子は、複数のカレントセンシング部を備え、制御回路は、異なる前記カレントセンシング部からのセンシング電流に対応した信号を主電流オフ指令回路および主電流制限回路のそれぞれに別個に入力するものである、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H03K 17/08 , H03K 17/56

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-040517
特開平2-288339
特開昭61-006925

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