特許

J-GLOBAL ID：200903095420835210

炭素膜形成方法

発明者： 梅野 正義 ,  河原 弥七 ,  太田 晴久
出願人/特許権者： 梅野 正義 ,  新日本石油株式会社
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-232577
公開番号（公開出願番号）：特開2008-056955
出願日： 2006年08月29日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】プラズマCVD法による炭素膜の形成における成膜速度の向上を可能とする炭素膜形成方法を提供する。【解決手段】プラズマCVD法により基材上に炭素膜を形成する方法であって、原料30としてアダマンタン化合物が含まれるガスを直流放電によりプラズマ化して基材20上に炭素膜を形成する。また原料ガスがハロゲン化合物のヨウ素をさらに含むことにより、炭素膜形成装置1の部品が腐食されることを低減できるとともに、成膜速度をさらに高めることが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法により基材上に炭素膜を形成する方法であって、 アダマンタン化合物が含まれるガスを直流放電によりプラズマ化して前記基材上に炭素膜を形成することを特徴とする炭素膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/503 ,  C01B 31/02

FI (3件)：

C23C16/26 ,  C23C16/503 ,  C01B31/02 101Z

Fターム (16件)：

4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC41 ,  4K030AA01 ,  4K030AA02 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA01 ,  4K030LA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭素材料作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-231188   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所