特許
J-GLOBAL ID:200903095427355493
駆動回路内蔵型液晶表示装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮越 典明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-193158
公開番号(公開出願番号):特開平7-028092
出願日: 1993年07月08日
公開日(公表日): 1995年01月31日
要約:
【要約】【目的】 駆動回路内蔵型液晶表示装置において、画素部のスイッチングトランジスタのリーク電流を低減させ、かつ、駆動回路を構成するトランジスタの耐圧低下及びディプリーッション化を防止すること。【構成】 液晶表示装置の画素部のスイッチングトランジスタのみに、選択的にプラズマ水素処理、レ-ザ-アニ-ル処理又はその両方の処理を行い、画素部のスイッチングトランジスタのトラップ準位密度の低減をすること。具体的には、薄膜トランジスタのコンタクトホール開口前にアルミをスパッタし、画素形成領域12上のアルミのみをパターンニングして駆動回路形成領域13上にマスクアルミ11を形成する(図1工程A参照)。続いて、プラズマ水素処理(H*)を行い、マスクアルミ11膜をエッチングにより除去する(図1工程B参照)。その後、従来法により駆動回路内蔵型液晶表示装置を製造する。
請求項(抜粋):
同一基板上に各画素ごとにスイッチングトランジスタを有し、該スイッチングトランジスタを駆動する駆動回路を同一基板上に有する液晶表示装置の製造方法において、画素部のスイッチングトランジスタの活性層多結晶シリコンのトラップ準位を選択的に低減することを特徴とする駆動回路内蔵型液晶表示装置の製造方法。
IPC (5件):
G02F 1/136 500
, G02F 1/1345
, G09F 9/35
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (2件):
H01L 29/78 311 A
, H01L 29/78 311 Y
引用特許:
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