特許

J-GLOBAL ID：200903095457408621

プラズマ処理装置

発明者： 奥村 智洋 ,  中山 一郎 ,  柳 義弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-258557
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082692
出願日： 1995年10月05日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 高周波誘導結合方式プラズマ処理装置において、放電コイル用マッチング回路のマッチング用並列コイルによる電力効率の低下を小さくし、温度上昇を小さくし、かつプラズマ密度の基板面内の分布を良好にする。【解決手段】 放電コイル1を、一部又は全部が多重の渦形に形成すると共に、放電コイル1の中心側の上記放電コイルを構成する導線1aの互いに隣合う間隔が、放電コイル1の周辺側の放電コイルを構成する導線1aの互いに隣合う間隔より大きいように構成した。

請求項（抜粋）：

真空容器と、基板電極と、放電コイルと、高周波電源と、放電コイルに導線にて接続され高周波電源に接続ケーブルにて接続されたマッチング回路とを備え、放電コイルに高周波電圧を印加することにより真空容器内にプラズマを発生させて基板電極上の基板を処理するプラズマ処理装置において、放電コイルをその一部又は全部を多重の渦形に形成すると共に、放電コイルの中心側の上記放電コイルを構成する導線の互いに隣合う間隔が、放電コイルの周辺側の放電コイルを構成する導線の互いに隣合う間隔より大きいようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/56 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (8件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 14/34 T ,  C23C 16/56 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 共通RF端子を有する対称並列な複数のコイルをもつ誘導結合プラズマ反応器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-283550   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 混合型RFプラズマ発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-271717   出願人：ニチメン電子工研株式会社
• プラズマ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-013981   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-000901