特許

J-GLOBAL ID：200903095459703167

電界効果トランジスタ

発明者： 星 正勝
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135458
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332239
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】ドレイン耐圧を向上することが容易で、かつプロセス工程が簡単な電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】N型SiC半導体領域20の一主面にU字型の溝55が形成され、該溝内にゲート絶縁膜70で絶縁されたゲート電極80が形成されたUゲート電極構造を有し、前記溝の側壁と対向してP型SiC領域60が形成され、前記ゲート絶縁膜との間にチャネル領域が形成された構造。チャネル領域は溝の外側に形成されるので、トレンチエッチングによるダメージを受けた溝の側壁にエピタキシャルによってチャネル領域を形成する必要がなくなる。そのためチャネル領域の膜質向上によるチャネル抵抗の低減が可能であり、かつ製造工程が容易となる。また、P型SiC領域から伸びる空乏層によってゲート絶縁膜にかかる電圧がシールドされるので、ドレイン耐圧を向上させることが出来る。

請求項（抜粋）：

Siよりもバンドギャップの広い第1導電型のワイドバンドギャップ半導体基体中に形成されたドレイン領域ならびにソース領域と、ゲート電圧によって伝導度が変調されるチャンネル領域と、を具備した電界効果トランジスタにおいて、前記ワイドバンドギャップ半導体基体の一主面の所定の領域にU字型の溝が形成され、該溝内にゲート絶縁膜によって前記ワイドバンドギャップ半導体基体と絶縁されてゲート電極が形成されている、いわゆるUゲート電極構造を有しており、前記溝の側壁と対向して該溝の外側に第2導電型の半導体領域が形成されており、該第2導電型の半導体領域と前記ゲート絶縁膜との間にチャネル領域が形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/80

FI (5件)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 654 C ,  H01L 29/80 V

Fターム (23件)：

4M104AA03 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD41 ,  4M104DD65 ,  4M104FF02 ,  4M104FF08 ,  4M104FF24 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F102FA01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC08 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02 ,  5F102GR12 ,  5F102GS08 ,  5F102HC16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 炭化珪素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-229487   出願人：株式会社デンソー
• 特開平3-289176
  
• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-050497   出願人：株式会社デンソー
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-067278   出願人：株式会社デンソー