表面処理方法及びその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高矢諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234565
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084835
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】被処理体に対してダメージを与えることなく、該被処理体に対して高効率且つ高精度で中性ビームによりエッチング等の表面処理を行う。【構成】ガスを放電させてプラズマPを発生させるプラズマ室10と、該プラズマ室10で発生したプラズマPからイオン引出電極12で引出されたインオビームを中性ビームに変換する中性化室14と、該中性化室14で生成した中性ビームを導入し、該中性ビームで被処理体Sをエッチングする処理室16とを備えたエッチング装置において、上記中性化室14に、イオンビームを中性ビームに変換する際に、その中性ビームを同時に励起状態に変換するための、プラズマ室10A、その周囲に配設したECR電磁石22A及びメッシュ電極30からなる、励起中性粒子を生成する励起装置28を付設した。

請求項（抜粋）：

ガス放電により発生させたプラズマから引き出されたイオンビームを中性ビームに変換し、該中性ビームを被処理体の表面に入射させてその表面処理を行う表面処理方法において、イオンビームを中性ビームに変換する際に、その中性ビームを励起状態にすることを特徴とする表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , C23F 4/04

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭58-166930
特開昭63-157887
特開昭61-236125

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