特許

J-GLOBAL ID：200903095500932585

スピンバルブトランジスタ

発明者： 佐藤 利江 ,  水島 公一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-090682
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289163
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】 電流透過率を向上させ、高密度磁気記録用素子として用いることが可能なスピンバルブトランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 磁化方向(M)が第1の方向に実質的に固着された磁性体膜を有する磁化固定層(MP)と、磁化方向(M)が外部磁界に対応して変化する磁性体膜を有する磁化自由層(MF)と、前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性層(NM)と、を有するベース部(B)と、磁化方向(M)が前記第1の方向とほぼ同一の方向に実質的に固着された磁性体膜(FM)を有するエミッタ部(E)と、前記ベース部と前記エミッタ部との間に設けられた絶縁性の障壁層(TB)と、を備えたことを特徴とするスピンバルブトランジスタを提供する。

請求項（抜粋）：

磁化方向が第1の方向に実質的に固着された磁性体膜を有する磁化固定層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁性体膜を有する磁化自由層と、前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性層と、を有するベース部と、磁化方向が前記第1の方向とほぼ同一の方向に実質的に固着された磁性体膜を有するエミッタ部と、前記ベース部と前記エミッタ部との間に設けられた絶縁性の障壁層と、前記ベース部の前記エミッタ部とは反対側に設けられ、半導体からなるコレクタ部と、を備えたことを特徴とするスピンバルブトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01L 29/82 T ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5D034BA03 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA03 ,  5F083HA08 ,  5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-189366   出願人：株式会社東芝