特許

J-GLOBAL ID：200903095506643038

半導体発光デバイス

発明者： 森島 嘉克 ,  藤倉 序章
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-114774
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319912
出願日： 2003年04月18日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】高キャリア濃度n型コンタクト層とp型コンタクト層との間でのトンネル接合を可能とし、しかも高キャリアn型層内への電流拡散を促進させることにより、優れた発光効率を発揮する半導体発光デバイスを提供。【解決手段】n型クラッド層の上に順次、活性層、p型クラッド層、p型コンタクト層およびn型コンタクト層が形成されてなり、前記n型コンタクト層から前記p型クラッド層にかけて凹部が形成され、該凹部内に前記n型コンタクト層と前記p型クラッド層の双方に接触する電極が形成されている半導体発光デバイス。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n型クラッド層の上に順次、活性層、p型クラッド層、p型コンタクト層およびn型コンタクト層が形成されてなり、前記n型コンタクト層から前記p型クラッド層にかけて凹部が形成され、該凹部内に前記n型コンタクト層と前記p型クラッド層の双方に接触する電極が形成されていることを特徴とする半導体発光デバイス。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (14件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29

引用特許：

出願人引用 (3件)

• p型電極構造およびそれを有する半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-246626   出願人：日本電気株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-182542   出願人：日立電線株式会社
• 窒化物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-138182   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (2件)

• p型電極構造およびそれを有する半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-246626   出願人：日本電気株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-182542   出願人：日立電線株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• "Lateral current spreading in GaN-based light-emitting diodes utilizing tunnel contact junctions"

審査官引用 (1件)

• "Lateral current spreading in GaN-based light-emitting diodes utilizing tunnel contact junctions"