特許

J-GLOBAL ID：200903095509985410

シリカ系被膜形成用塗布液及びその製造方法

発明者： 渋谷 達彦 ,  萩原 嘉男
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-144808
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340220
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の製造において使用される平坦化膜や層間絶縁膜などとして有用な誘電率の低いシリカ系被膜形成用塗布液及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ポリアルコキシシラン化合物を第一有機溶剤に溶解して、SiO2換算濃度1〜5重量%の溶液を調製し、次いでこれを塩基性触媒の存在下加水分解縮合させたのち、第二有機溶剤により置換し、SiO2換算濃度5〜25重量%に調整することにより、シリカ系被膜形成用塗布液を製造する。

請求項（抜粋）：

ポリアルコキシシラン化合物の塩基性加水分解縮合生成物を、SiO2換算濃度5〜25重量%の割合で含有する有機溶剤溶液からなるシリカ系被膜形成用塗布液。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01B 3/46 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  H01B 3/46 E ,  H01L 21/90 Q

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-263476
  
• 低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-299684   出願人：触媒化成工業株式会社
• 特開平3-008709