特許

J-GLOBAL ID：200903095515066850

半導体装置

発明者： 河路 佐智子 ,  鈴木 隆司 ,  石子 雅康 ,  斎藤 順 ,  大西 豊和
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-086555
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266134
出願日： 2006年03月27日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】 ラッチアップ現象の発生を抑制しながら、蓄積領域によるオン電圧の低減効果を得ること。【解決手段】 縦型の半導体装置11の半導体基板20は、n-型の不純物を含むドリフト領域28と、そのドリフト領域28の表面側において半導体基板20の表面に沿って形成されている2種類の部分領域62、64を備えている。第1種類の部分領域62は、第1ボディ領域32と、エミッタ領域36と、第1ボディコンタクト領域38を有している。第2種類の部分領域64は、第2ボディ領域35と、第2ボディコンタクト領域34と、第2種類側蓄積領域54を有している。第2種類の部分領域64には、エミッタ領域36が形成されていないことを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

一方の主電極が半導体基板の表面に設けられているとともに、他方の主電極が半導体基板の裏面に設けられている縦型の半導体装置であって、その半導体基板が、 第1導電型の不純物を含むドリフト領域と、 そのドリフト領域の表面側において半導体基板の表面に沿って形成されている少なくとも2種類の部分領域を備えており、 第1種類の部分領域は、 第2導電型の不純物を低濃度に含む第1ボディ領域と、 その第1ボディ領域によってドリフト領域から隔てられており、前記一方の主電極に電気的に接続されているとともに、第1導電型の不純物を含むエミッタ領域と、 その第1ボディ領域によってドリフト領域から隔てられており、前記一方の主電極に電気的に接続されているとともに、第2導電型の不純物を高濃度に含む第1ボディコンタクト領域を有しており、 第2種類の部分領域は、 第2導電型の不純物を低濃度に含む第2ボディ領域と、 その第2ボディ領域によってドリフト領域から隔てられており、前記一方の主電極に電気的に接続されているとともに、第2導電型の不純物を高濃度に含む第2ボディコンタクト領域と、 その第2ボディコンタクト領域とドリフト領域の間に形成されており、第1導電型の不純物を含む第2種類側蓄積領域を有しており、 第2種類の部分領域に、エミッタ領域が形成されていないことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 655A ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-054656   出願人：三菱電機株式会社