特許
J-GLOBAL ID:200903095530868830

半導体モジュ-ル及び電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-187987
公開番号(公開出願番号):特開平11-041909
出願日: 1997年07月14日
公開日(公表日): 1999年02月12日
要約:
【要約】【課題】しきい値にばらつきのある半導体素子を並列接続しても、過渡時の電流バランスを改善できる半導体モジュール及び電力変換装置を提供すること。【解決手段】IGBT6Aのしきい値が、他のIGBTに比べて低い場合を考える。ゲ-トドライブ回路の出力を-15Vから+15Vにすると、ゲ-ト端子9の電位が上昇する。ゲ-ト端子電位が、IGBT6Aのしきい値を超えると、IGBT6Aに電流I6Aが流れる。このとき、リアクトル11Aに、以下の電圧VL(=L*微分(I6A))が発生する。このVLは、ゲ-ト端子-エミッタ端子間電圧に対して、IGBT6AのGE間電圧を下げる方向にかかる。そのため、しきい値の低いIGBT6Aのみ、GE間電圧が低くなり、タ-ンオンを遅らせ、電流のアンバランスが大きくなるのを防ぐ。
請求項(抜粋):
並列接続される複数の半導体素子と、前記半導体素子のエミッタ側に直列接続されるインダクタンス手段と、前記半導体素子及び前記インダクタンス手段とを収納する収納手段と、を具備することを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件):
H02M 1/00 ,  H02M 1/08 341
FI (2件):
H02M 1/00 M ,  H02M 1/08 341 B
引用特許:
審査官引用 (4件)
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