半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015944
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216255
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】容量素子の誘電体薄膜の上部をエミッタ拡散用のポリシリコン層で被覆することにより、容量値のばらつきを抑える。【解決手段】 P型基板11の上にN型エピタキシャル層15を形成し、分離して島領域21を形成する。島領域21に下部電極領域19を形成し、その上の絶縁膜に開口部を形成する。開口部を覆い且つポリシリコン抵抗体25の表面をも被覆する誘電体薄膜27を形成する。各拡散領域を形成し、コンタクトホールを形成し、ポリシリコン電極31〜34を形成する。電極31はエミッタ拡散用の拡散源膜であり、電極34は容量素子の上部電極の一部となり、誘電体薄膜27を保護する役割を持つ。誘電体薄膜27をエッチャントに晒さずに済むので、そのばらつきを抑えることができる。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板の上に逆導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル層を分離して島領域を形成する工程と、前記島領域の1つの表面を被覆する絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を被覆する誘電体薄膜を形成する工程と、前記島領域の他の1つの表面を被覆する絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、ポリシリコン層を形成し、これをホトエッチングしてエミッタ拡散用の拡散源膜を形成すると共に、前記開口部を被覆する誘電体薄膜の上に前記ポリシリコン層を残存せしめる工程と、前記拡散源膜から不純物を拡散してエミッタ領域を形成する工程と、前記拡散源膜の上にエミッタ電極を形成し、且つ前記誘電体薄膜の上に形成したポリシリコン層の上に容量素子の上部電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (4件)：

H01L 27/06 101 D , H01L 27/04 C , H01L 27/04 P , H01L 29/72

Fターム (30件)：

5F003BA25 , 5F003BA97 , 5F003BH06 , 5F003BH08 , 5F003BJ18 , 5F003BJ20 , 5F003BP06 , 5F003BP93 , 5F003BZ05 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038AR09 , 5F038EZ12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F082AA06 , 5F082BA04 , 5F082BA07 , 5F082BC13 , 5F082BC18 , 5F082DA09 , 5F082EA04 , 5F082EA13 , 5F082EA15

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-004266 出願人：ソニー株式会社
特開平4-154160
特開昭62-166555

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-004266 出願人：ソニー株式会社
特開平4-154160
特開昭62-166555

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