半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-004266
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112507
出願日： 1997年01月14日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】ベース層を選択的にエピタキシャル成長して形成するバイポーラトランジスタとMIS容量とを同一基板上に形成することはほとんど行われていない。【解決手段】半導体基板10上にベース層19を選択的にエピタキシャル成長して形成するバイポーラトランジスタ(NPNバイポーラトランジスタ1)と、上記同一半導体基板10上に誘電体膜52を成膜して形成するMIS容量2とを形成する半導体装置の製造方法において、ベース層19に接続するベース電極18とこのベース層19上に形成するエミッタ層21とを分離するサイドウォール20を形成する際に、このサイドウォール20を構成する窒化シリコン膜37と同一層の膜で誘電体膜52を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にベース層を選択的にエピタキシャル成長して形成するバイポーラトランジスタと、前記半導体基板上に誘電体膜を成膜して形成するMIS容量とを形成する半導体装置の製造方法において、前記ベース層に接続するベース電極と該ベース層上に形成するエミッタ層とを分離するサイドウォールを形成する際に、前記サイドウォールを構成する膜と同一層の膜で前記誘電体膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 29/165 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 27/06 101 D , H01L 29/165 , H01L 29/72

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-199339 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273333 出願人：日本電気株式会社
特開平3-030431

全件表示

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-199339 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-273333 出願人：日本電気株式会社
特開平3-030431

全件表示

前のページに戻る