特許

J-GLOBAL ID：200903095594476111

半導体集積回路のプロービングテスト方法

発明者： 村山 嘉浩
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-356540
公開番号（公開出願番号）：特開2005-121483
出願日： 2003年10月16日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】プロービングテスト方法において、端子を高密度に配置しながら、プロービングテスト時に端子とプローブの確実な接触が得られるようにする。【解決手段】端子1の形状を、平行な対辺11,12の長さが互いに異なる台形とする。この台形の高さ方向Hが平行になり、且つ、短い辺11と長い辺12が交互に隣り合って一直線上に並ぶように、各端子1を配置する。プローブ2L,2Rを端子1に押し当てて撓ませて、各端子1の短い辺11側から長い辺12側に向けて移動する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の端子が形成された半導体集積回路の各端子にプローブを接触させて、前記回路の電気的特性を測定するプロービングテスト方法において、 前記端子の形状を、平行な対辺の長さが互いに異なる台形とし、この台形の高さ方向を揃えて並列に、且つ、前記平行な対辺の短い辺と長い辺が交互に隣り合うように配置するとともに、 前記プローブを各端子に対して前記短い辺側から接触させて、前記長い辺側に向けて移動することを特徴とするプロービングテスト方法。

IPC (4件)：

G01R1/067 ,  G01R1/073 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

FI (4件)：

G01R1/067 G ,  G01R1/073 E ,  G01R31/26 J ,  H01L21/66 E

Fターム (13件)：

2G003AA10 ,  2G003AG03 ,  2G003AG04 ,  2G003AG12 ,  2G011AA02 ,  2G011AA10 ,  2G011AA17 ,  2G011AC14 ,  2G011AF07 ,  4M106AA01 ,  4M106AD09 ,  4M106AD24 ,  4M106BA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 集積回路の装着構造および配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-202697   出願人：京セラ株式会社