特許
J-GLOBAL ID：200903095623305488
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172170
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031540
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 GaN 系の化合物半導体を用いた青色の発光ダイオードにおいて、側壁側へ漏れる光を光取り出し方向に導いて発光効率を上昇させること。【構成】 発光ダイオード10はi層5の電極形成部分を残しそのi層5側から高キャリヤ濃度n+ 層3の電極形成面までエッチングを施して光取り出し方向に沿った断面形状を上記i層5の電極7部分を上底とするメサ(台形)形状とする。そして、光取り出し方向と反対側でi層5の電極7及び高キャリヤ濃度n+ 層3の電極8部分を除いて上記i層5、上記高キャリヤ濃度n+ 層3及び上記メサ部分の表面に絶縁性反射膜9が形成される。これにより、発光ダイオード10は光取り出し方向と大きく異なる側壁側への光漏れがなくなり、即ち、絶縁性反射膜9により光の取り出し効率が上昇する。
請求項（抜粋）：
基板上部にn型の窒化ガリウム系化合物半導体層(AlXGa1-XN;X=0を含む)を形成する工程と、p型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層(AlXGa1-XN;X=0を含む)を形成する工程と、第1電極が形成される前記p型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層の側から、第2電極が形成される前記n型の窒化ガリウム系化合物半導体層の面が露出するまでエッチングする工程と、前記p型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体層の上に第1電極を、前記n型の窒化ガリウム系化合物半導体層の上に第2電極を形成する工程と、エッチングにより形成された側壁面を含み、前記第1電極、前記第2電極を除く面上に、光を反射させる絶縁性反射膜を形成する工程とを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
