特許

J-GLOBAL ID：200903095649793880

薄膜形成方法

発明者： 浮島 禎之 ,  佐藤 昌敏 ,  中村 聡 ,  小松 孝
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356337
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176818
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 CVD法でアモルファス状のタンタル窒化物およびタンタル・シリコン窒化物の薄膜を低温で形成して、低抵抗で、かつバリア性の優れたバリアメタル膜を提供すること。【解決手段】 プラズマCVD法に従って、無機タンタルハロゲン化物および窒素源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル窒化物の薄膜を形成すること、または無機タンタルハロゲン化物、窒素源ガスおよびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物の薄膜を形成すること。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法に従って、無機タンタルハロゲン化物および窒素源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル窒化物の薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/285 301 T ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/88 R

Fターム (36件)：

4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4M104BB29 ,  4M104BB32 ,  4M104BB37 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104HH04 ,  4M104HH05 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033LL06 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP03 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033WW04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 金属窒化物膜の形成方法および電子装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-289278   出願人：ソニー株式会社