特許
J-GLOBAL ID：200903095656196544
記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-196488
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057481
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 不揮発性メモリへの情報の書き込み回数を低減して、書き込み回数に制限のある不揮発性メモリの消耗を防止できる記憶装置を提供すること。【構成】 S13ではRAM1cに記憶した情報のデータ量の算出を行なう。S14ではフラッシュROM2の使用可能記憶容量を算出する。S15ではデータ量が使用可能記憶容量を上回るか否かを判定する。データ量が使用可能記憶容量以下の場合、S17にてRAM1cに蓄えられた情報をフラッシュROM2に書き込む。一方、データ量が使用可能記憶容量を上回る場合は、S16にてフラッシュROM2に記憶した情報のうち、消去フラグがセットされた情報のみ消去を実行する。
請求項（抜粋）：
任意の情報を、書き込み回数に制限のある不揮発性メモリに記憶する記憶装置において、前記不揮発性メモリに記憶された情報の消去を指示する消去指示手段と、該消去指示手段によって所定の情報の消去が指示された場合には、指示された所定の情報を区別する情報区別手段と、前記不揮発性メモリの使用可能記憶容量を求める記憶容量算出手段と、前記不揮発性メモリに新たに記憶される情報のデータ量が、前記記憶容量算出手段によって算出された使用可能記憶容量を上回るか否かを判定するデータ量判定手段と、該データ量判定手段によって、前記データ量が前記使用可能記憶容量を上回ると判定された場合には、前記情報区別手段によって区別された情報のみを消去する消去実行手段と、を備えたことを特徴とする記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/02 510
G11C 17/00 530 B
, G11C 17/00 309 F
