特許
J-GLOBAL ID：200903095666058549
半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターン形成用コーティング組成物の製造方法及び半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-110169
公開番号（公開出願番号）：特開2005-301270
出願日： 2005年04月06日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】半導体素子製造用のマスクパターン及びその形成方法、並びに微細パターン形成用コーティング組成物の製造方法及び半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上にレジストパターンを形成した後、陽子供与体ポリマー及び陽子受容体ポリマーを含むコーティング組成物を前記レジストパターンの表面に接触させた状態で加熱してインターポリマーコンプレックス層を形成する。コーティング組成物は、酸及び塩基のうち何れか一つ、またはこれらを両者を含みうる。シリコンアルコキシドモノマー、シリコンアルコキシドオリゴマー、またはこれらの部分加水分解物などのシリコン含有物質を含むコーティング組成物を使ってBLRの上部レジストパターンにインターポリマーコンプレックス層を形成すれば、増加したシリコン含量によって乾式エッチングに対して増加した耐性を有し、微細パターンを形成しうる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたレジストパターンと、
前記レジストパターンの表面に形成されており、陽子供与体ポリマー及び陽子受容体ポリマーが水素結合によってネットワークを形成しているインターポリマーコンプレックス膜と、を含むことを特徴とする半導体素子製造用のマスクパターン。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F7/40 521
, H01L21/30 570
, H01L21/30 502R
2H096AA25
, 2H096HA02
, 2H096HA05
, 5F046LA18
, 5F046NA01
, 5F046NA12
出願人引用 (22件)
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特開第1989-307228号公報
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特開第2001-066782号公報
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特開第2001-228616号公報
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特開第2001-019860号公報
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特開第2001-109165号公報
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特開第2003-107752号公報
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特開第2003-084448号公報
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特開第2003-084459号公報
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特開第2003-084460号公報
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特開第2003-142381号公報
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特開第2003-195527号公報
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特開第1993-241348号公報
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特開第2003-202679号公報
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特開第2003-303757号公報
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特開第2003-316026号公報
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特開第1994-250379号公報
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特開第1998-073927号公報
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特開第1999-204399号公報
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特開第1999-283905号公報
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特開第1999-283910号公報
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特開第2000-058506号公報
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特開第2000-298356号公報
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審査官引用 (2件)
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