特許
J-GLOBAL ID：200903093254914782

微細レジストパターン形成用水溶性樹脂の選択方法

発明者：
菅田 祥樹

菅田 祥樹 について

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金子 文武

金子 文武 について

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立川 俊和

立川 俊和 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-302553
公開番号（公開出願番号）：特開2003-084448
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】 レジスト微細化用塗膜を形成するための水溶性樹脂として、熱処理により、ホトレジストパターンを円滑に熱収縮させることができ、しかもレジストパターンの熱処理後に水洗により容易に除去しうるものを選択して、効率よく微細レジストパターンを形成させることを目的とする。【解決手段】 基板上に形成したホトレジストパターンの少なくとも一部を水溶性樹脂で被覆したのち、熱処理することによりパターン間隔を縮小させ、次いで水溶性樹脂を完全に除去して微細レジストパターンを形成させるに当り、該水溶性樹脂として、あらかじめ上記レジストパターンを形成する前のレジスト膜の光硬化体上に塗布し、140°Cにおいて60秒加熱処理後、23°Cの純水で洗浄する試験を行って、60秒以内で完全に除去することができたものを選択し、使用する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成したホトレジストパターンの少なくとも一部を水溶性樹脂で被覆したのち、熱処理することによりパターン間隔を縮小させ、次いで水溶性樹脂を完全に除去して微細レジストパターンを形成させるに当り、該水溶性樹脂として、あらかじめ上記レジストパターンを形成する前のレジスト膜の光硬化体上に塗布し、140°Cにおいて60秒加熱処理後、23°Cの純水で洗浄する試験を行って、60秒以内で完全に除去することができたものを選択し、使用することを特徴とする微細レジストパターン形成用水溶性樹脂の選択方法。
IPC (4件)：
G03F 7/26 501 ,  G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/26 501 ,  G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 575
Fターム (8件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096HA02 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F046NA15 ,  5F046NA19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
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