特許

J-GLOBAL ID：200903095683644109

誘電体原料の製造方法

発明者： 二宮 秀明 ,  西野 晴雄
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-292625
公開番号（公開出願番号）：特開2001-114567
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：

【要約】【課題】 シート厚みのばらつきがなく、そのため特性値のばらつきが小さく、信頼性の高い電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】 誘電体原料を湿式ボールミルで粉砕する工程において、粉砕回転数を通常の回転数より遅くすることで平均粒径を不必要に小さくすることなく粗大粒子だけを粉砕する誘電体原料の製造方法。

請求項（抜粋）：

平均粒径が0.8μm乃至2.5μmであり、その3倍以上の粗大粒子の含有量が30ppm以下であることを特徴とするセラミックス及びガラスからなる誘電体原料。

IPC (3件)：

C04B 35/622 ,  B02C 17/00 ,  C04B 35/495

FI (3件)：

B02C 17/00 A ,  C04B 35/00 C ,  C04B 35/00 J

Fターム (16件)：

4D063FF02 ,  4D063FF35 ,  4D063GA10 ,  4D063GD02 ,  4D063GD19 ,  4D063GD24 ,  4D063GD27 ,  4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030GA03 ,  4G030GA11 ,  4G030GA20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低温焼成セラミック基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069868   出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス