特許
J-GLOBAL ID：200903095690235729
4族系半導体装置、半導体光装置、および半導体高発光部材
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-200259
公開番号（公開出願番号）：特開平11-046014
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、シリコン系4族半導体で光集積回路装置を可能とすることにある。【解決手段】 シリコンとシリコン以外の4族元素、例えばゲルマニウムという4族系半導体からなるシリコンとシリコン以外の4族元素の混晶を用いて発光素子部と受光素子部を隣接する同一基板上に形成する。【効果】 シリコン以外の4族元素を分散させたシリコンーゲルマニウム混晶からなる高発光効率の発光素子と受光素子形成が可能となる。同一シリコン基板上に電子素子部と発光および受光の光素子部形成が可能となる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に、シリコンとシリコンを除く4族元素との混晶層を活性領域として少なくとも有する半導体発光部と、シリコンとシリコンを除く4族元素との混晶層を活性領域として少なくとも有する半導体受光部とを少なくとも有し、前記半導体発光部と前記半導体受光部との少なくとも一対を接続する光路を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 31/12
, H01S 3/18
H01L 33/00 A
, H01L 31/12 B
, H01S 3/18
