特許
J-GLOBAL ID：200903095697581169

半導体装置及びその製造方法

発明者：
塩谷 喜美

塩谷 喜美 について

, 
西本 裕子

西本 裕子 について

, 
前田 和夫

前田 和夫 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体プロセス研究所

株式会社半導体プロセス研究所 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-010026
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200626
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】低誘電率絶縁膜の機能を維持しつつ、形成膜中に窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供するものである。【解決手段】シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はCH3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一に対するH2Oの流量比を4以上とし、かつ圧力を1.5Torr以上に調整して、成膜ガスを生成する工程と、成膜ガスに電力を印加してプラズマ化し、反応させて昇温した被成膜基板上に低誘電率絶縁膜を形成する工程と、He、Ar、H2又は重水素のうち少なくとも何れか一を含む処理ガスをプラズマ化し、低誘電率絶縁膜を処理ガスのプラズマに接触させる工程とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
シロキサン結合を有するシリコン含有有機化合物又はCH3基を有するシリコン含有有機化合物のうち何れか一とH2Oとを用い、前記シリコン含有有機化合物に対する前記H2Oの流量比を4以上とし、かつ圧力を1.5Torr以上に調整して、成膜ガスを生成する工程と、 前記成膜ガスに電力を印加してプラズマを生成し、反応させて基板上に低誘電率絶縁膜を形成する工程と、 He、Ar、H2又は重水素のうち少なくとも何れか一を含む処理ガスを生成する工程と、 前記処理ガスに電力を印加してプラズマを生成する工程と、 前記低誘電率絶縁膜を前記処理ガスのプラズマに接触させる工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768
FI (3件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/90 M ,  H01L21/88 M
Fターム (43件)：
5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BH02 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ04
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 成膜方法及び半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-263991   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
  • 特許第3084367号
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-146242   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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