特許

J-GLOBAL ID：200903016125458890

成膜方法及び半導体装置

発明者： 小竹 勇一郎 ,  山本 陽一 ,  鈴木 智美 ,  猪鹿倉 博志 ,  大河原 昭司 ,  塩谷 喜美 ,  大平 浩一 ,  前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263991
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083810
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 従来例に係るSOG(spin on grass)膜やFSG(fluorinated silicon oxide)膜とは異なる新規なシリコン含有絶縁膜を成膜する成膜方法、及び半導体装置を提供すること。【解決手段】 シロキサン結合を有する化合物と酸化性ガスとをプラズマ化して反応させ、被堆積基板103上にシリコン含有絶縁膜204を成膜する成膜方法による。

請求項（抜粋）：

シロキサン結合を有する化合物と酸化性ガスとをプラズマ化して反応させ、被堆積基板上にシリコン含有絶縁膜を成膜する成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/31 C

Fターム (44件)：

4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA44 ,  4K030BB13 ,  4K030DA08 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030LA02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045CB05 ,  5F045DC52 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH07 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F058BA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320973   出願人：日本電気株式会社
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-006381   出願人：キヤノン販売株式会社, アルキヤンテック株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所