特許

J-GLOBAL ID：200903095784160358

半導体発光素子の製法

発明者： 園部 雅之
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057690
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255930
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 NH3ガスを用いることなくチッ化ガリウム系化合物半導体層を安全に気相成長させ、安価な半導体発光素子の製法を提供する。【構成】 反応管内に原料ガスを導入し気相成長法により基板1上に少なくともn型層4とp型層6を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層する半導体発光素子の製法であって、前記原料ガスに少なくともヒドラジン系金属化合物を用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応管内に原料ガスを導入し気相成長法により基板上に少なくともn型層とp型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層する半導体発光素子の製法であって、前記原料ガスに少なくともヒドラジン系金属化合物を用いることを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-004720   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開昭50-056400
  
• 特開昭63-103894