特許

J-GLOBAL ID：200903095788501486

半導体電子装置

発明者： 石田 秀俊
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-368800
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179546
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】ELO(Epitaxial Lateral Over Growth)を用いる半導体装置において、選択マスク材料からSiの拡散を抑えつつ高純度のGaNを成長させて、高耐圧特性を有する半導体素子を実現する。【解決手段】単結晶基板101上に選択的に形成されたSiO2マスク103とGaN層104、106が順次形成された構造であって、SiO2マスク103の誘電率がGaN層104より低く、さらにGaN層104とGaN層106との間にAlGaN層105が挿入された構成とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に選択的に形成されかつSiを含有しないマスク層と、前記マスク層を含む基板上に形成されたIII族窒化物半導体層とを有することを特徴とする半導体電子装置。

IPC (6件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (4件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L29/80 Q ,  H01L29/48 F

Fターム (28件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG12 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DB01 ,  5F045DB06 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• GaN系電界効果トランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-041555   出願人：古河電気工業株式会社