特許

J-GLOBAL ID：200903095804199299

回路装置およびその製造方法

発明者： 臼井 良輔 ,  水原 秀樹 ,  井上 恭典 ,  村井 誠
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-053742
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237517
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】 動作が高速で薄型構造の回路装置を得る。 【解決手段】 回路装置10は、第1の回路素子14と、基板74に形成された回路素子部16とを備え、第1の回路素子14と回路素子部16とが、素子面同士が対向するように配置されている。第1の回路素子14の素子面に形成された端子と回路素子部16の素子面に形成された端子17とは、異方性導電フィルム18を構成するバインダ中の導電性粒子、および、ビア24を介して電気的に導通している。また、異方性導電フィルム18および第3の絶縁樹脂膜30を同一工程で熱圧着することによって、回路装置10の製造工程の簡素化が図れる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の回路素子と、第2の回路素子とを備える回路装置であって、 前記第1の回路素子と前記第2の回路素子とは、素子面同士が対向するように配置され、 前記第1の回路素子の素子面に形成された端子と前記第2の回路素子の素子面に形成された端子とは、絶縁樹脂中に複数の導電性粒子を有する膜を介して電気的に導通していることを特徴とする回路装置。

IPC (3件)：

H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065

FI (1件)：

H01L25/08 B

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 多層構造半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-243120   出願人：日東電工株式会社