特許

J-GLOBAL ID：200903095808579304

半導体装置の製造方法

発明者： 関 章憲
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-196731
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039946
出願日： 2002年07月05日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】SiC半導体を用いたMOS構造を有する半導体装置において、酸化膜との界面における界面準位密度を低くする。【解決手段】CVDによりSiH4,N2の混合ガスを用いて1050〜1250°Cで、SiCエピタキシャル層104の上に、Siをエピタキシャル成長させて、Siエピタキシャル層106を膜厚数十〜数百nm形成する。酸素雰囲気中において、1000〜1250°Cで、Siエピタキシャル層106を100nm以下、好ましくは、1〜5nm残すように、Siエピタキシャル層106の上層部を熱酸化して、SiO2膜108を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造する方法であって、 (a)炭化ケイ素層を用意する工程と、 (b)前記炭化ケイ素層上に、ケイ素をエピタキシャル成長させて、ケイ素エピタキシャル層を形成する工程と、 (c)前記ケイ素エピタキシャル層の上層部を酸化する工程と、 を備える半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336

FI (7件)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G

Fターム (14件)：

5F140AA01 ,  5F140AA19 ,  5F140AA30 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BC12 ,  5F140BE07 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BG30

引用特許：

審査官引用 (1件)

• MIS型電界効果トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345179   出願人：松下電子工業株式会社