特許

J-GLOBAL ID：200903095810840273

混成TFTアレー基板とその製造方法

発明者： 坂井 全弘 ,  松村 英樹 ,  増田 淳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  北陸先端科学技術大学院大学長
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-382104
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185005
出願日： 2000年12月15日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】同一基板上に水素化アモルファスシリコンTFTとポリシリコンTFTを有する混成TFTアレー基板を提供する。また、高画質用及び大画面用の駆動回路内蔵TFTアレー基板を提供する。【解決手段】触媒化学的気相堆積法により形成される、脱水素処理を経ずポリシリコン化できる水素化アモルファスシリコン薄膜からチャネル部を形成し、同一基板上に水素化アモルファスシリコンTFTとポリシリコンTFTとを有する混成TFTアレー基板を製造する。

請求項（抜粋）：

同一絶縁性基板上の同一平面に形成された、チャネル部が水素化アモルファスシリコン薄膜である水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタと、チャネル部がポリシリコン薄膜であるポリシリコン薄膜トランジスタと、をそれぞれ複数有する混成TFTアレー基板。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (37件)：

5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BD01 ,  5F048BG07 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052JA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-179502   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-346419