特許

J-GLOBAL ID：200903095812596000

半導体集積回路用受動素子及びその製造方法

発明者： 西辻 充 ,  藤本 和久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-010256
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221271
出願日： 1994年02月01日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 Tiの酸化物を絶縁物質とする容量素子を半導体集積回路に集積する。【構成】 Tiの酸化物を絶縁物質とする容量素子108において、信頼性に優れ、工程数の少ない素子構成およびその製造方法として、配線金属200直上に連続的にPt或いはPd205及びTi401を蒸着し、同時に加工した後に容量素子108領域のみ前記Ti401を除去し、配線上のみTiを配した構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体主面上に集積回路素子として、絶縁物質としてTaまたはTiの酸化物により構成される絶縁物を用いた容量素子を製造する工程において、能動素子を作成した後に配線金属とは独立にPtまたはPdを用いて容量素子第1層金属を形成する工程と、容量素子絶縁物質および容量素子第2層金属を形成する工程と、配線金属を用いて前記容量素子を集積化する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路用受動素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/095

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/80 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 誘電体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149523   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-269859