特許

J-GLOBAL ID：200903095832902930

半導体結晶化方法及び装置

発明者： 佐々木 伸夫 ,  宇塚 達也
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社日本レーザー
代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-143097
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332236
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体結晶化方法及び装置に関し、CW固体レーザを使用した場合でもスループットを高くすることができるようにすることを目的とする。【解決手段】 複数のレーザ源71,72と、フォーカス光学系73と、該複数のレーザ源から出射するレーザビームを該フォーカス光学系に導く合成光学系74とを備える構成とする。

請求項（抜粋）：

複数のレーザ源から出射するレーザビームをフォーカス光学系を通して基板の半導体膜に照射し、該半導体膜を溶融結晶化する半導体結晶化方法であって、複数の該レーザビームは互いに重なることなく該基板上に照射され、且つ、互いに平行に該半導体膜を走査するものであると共に、その溶融跡が互いに重なり合うよう位置付けられることを特徴とする半導体結晶化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/268 J

Fターム (13件)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA11 ,  5F052BA13 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA00 ,  5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レーザアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-030377   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭60-126840
  
• 特開平1-239837