特許
J-GLOBAL ID:200903095838105919
耐還元性サーミスタ素子とその製造方法および温度センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
伊藤 求馬
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-242104
公開番号(公開出願番号):特開2002-057003
出願日: 2000年08月10日
公開日(公表日): 2002年02月22日
要約:
【要約】【課題】 還元雰囲気に晒されても抵抗値が大きく変化することがなく、高精度で、優れた抵抗値安定性を有する耐還元性サーミスタ素子を得る。【解決手段】 混合焼結体(M1 M2 )O3 ・AOx を主成分とする組成物中に、酸素吸蔵放出特性を有するCeO2 等の酸素吸蔵放出組成物を分散させた構造を有するサーミスタ素子とする。還元雰囲気において酸素吸蔵放出組成物が吸蔵している酸素を放出して、素子を構成する組成物からの酸素の移動を抑制するために、還元雰囲気に晒されても抵抗値が大きく変化することがなく、長期に渡って精度よい温度検出が可能で、信頼性の高い温度センサを実現できる。
請求項(抜粋):
金属酸化物焼結体を主成分とするサーミスタ素子であって、上記金属酸化物焼結体中に、酸素吸蔵放出特性を有する酸素吸蔵放出組成物が分散した構造を有することを特徴とする耐還元性サーミスタ素子。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (14件):
4G030AA11
, 4G030AA12
, 4G030AA14
, 4G030AA22
, 4G030AA25
, 4G030BA01
, 5E034BA07
, 5E034BA09
, 5E034BB01
, 5E034BC01
, 5E034BC18
, 5E034BC19
, 5E034DA05
, 5E034DC02
引用特許:
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