特許
J-GLOBAL ID:200903095846817260

蛍石の製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大西 正悟
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-104323
公開番号(公開出願番号):特開平11-292696
出願日: 1998年04月15日
公開日(公表日): 1999年10月26日
要約:
【要約】【課題】 結晶育成過程で多結晶が生成されるのを防止し、大口径の蛍石単結晶を安定的に得ることのできる蛍石の製造装置を提供する。【解決手段】 垂直ブリッジマン法による蛍石の製造装置1において、引下げ棒3の低温炉4bにより加熱される部分を断熱カバー33で覆うとともに、ルツボ受け32に断熱材を取り付け、引下げ棒3の耐熱シャフト3aと冷却シャフト3bとの連結部3cをルツボ底部23付近に設ける。冷却シャフト3bは二重パイプ構造として水又は低温ガスを循環させて冷却する。
請求項(抜粋):
蛍石の原料が収納されたルツボと、蛍石の融点よりも高い温度に設定された高温炉及びこの高温炉の下方に隣接して設けられ蛍石の融点よりも低い温度に設定された低温炉を備えた炉と、上端が前記ルツボの底部に取り付けられた耐熱部材及びこの耐熱部材の下方に連結された冷却部材からなり下方へ延びて配設された引下げ棒とを有して構成され、前記ルツボを前記高温炉に位置させて前記蛍石の原料を融解させた後、前記引下げ棒により前記ルツボを前記低温炉に引き下げることにより前記蛍石の原料に温度勾配を与えて蛍石の単結晶を作成する垂直ブリッジマン法による蛍石の製造装置において、前記引下げ棒の前記低温炉により加熱される部分が断熱カバーで覆われたことを特徴とする蛍石の製造装置。
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平4-349198
  • 半導体結晶の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-136101   出願人:住友電気工業株式会社
  • 特開昭64-056393
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