半導体結晶の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上代哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-136101
公開番号（公開出願番号）：特開平9-315881
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月09日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥の発生を少なくした半導体結晶を得る方法を提供する。【解決手段】原料を収容するルツボ4と、ルツボを支えるステージ6と、ステージを支える下軸7と、縦型の温度勾配炉を有する縦型ブリッジマン法において、ステージを支える下軸外面に冷却媒体が通る冷却パイプ8が巻かれている。冷却媒体が、空気あるいは水である。その他、ステージを支える下軸の外面が熱輻射率の低い材質であるパイロリティックボロンナイトライド(pBN)被覆されたり、あるいはその外周に熱輻射率の低い材質であるアルミナ製の円筒が設置されているものも良い。

請求項（抜粋）：

多結晶原料、その融液及び製品の半導体結晶を入れるルツボと、ルツボを支えるステージと、ステージを支える下軸と、縦型温度勾配炉とにより形成される縦型ブリッジマン法において、ルツボ上部からの熱流を種結晶部に流れ込むように下軸の温度上昇を抑制することを特徴とする半導体結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 11/00 , C30B 29/42 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 11/00 Z , C30B 29/42 , H01L 21/208 T

引用特許：

審査官引用 (11件)

無機化合物単結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-152356 出願人：三菱化学株式会社
化合物半導体の単結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-147700 出願人：古河電気工業株式会社
化合物半導体単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-202403 出願人：株式会社神戸製鋼所

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