特許
J-GLOBAL ID：200903095855312650
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108147
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321105
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 PE-SiOの水分の吸収量を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させる。【構成】 整合器2では、高周波電源1から供給される高周波パワーを整合し、合成器11に出力する。合成器11では、低周波電源10より供給される低周波パワーと整合器2により入力された高周波パワーとを合成して、反応室3内の第1の電極4に供給する。反応室3内の第1の電極4と第2の電極5との間でプラズマ放電が起こり、これらのプラズマ放電によって得られたエネルギーにより反応室3内に供給されたガスが活性化され、SiOの成膜が進行する。この時、SiOの成膜が、高周波パワーによってラジカル種により進行し、低周波パワーによってイオン種により進行する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に導電性材料により配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、10MHzから1GHzの範囲の周波数の高周波パワーを供給する高周波電源、及び300KHzから500KHzの範囲の周波数の低周波パワーを供給する低周波電源とを有するプラズマCVD装置を使用して、前記半導体基板上に前記層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/768
H01L 21/31 C
, H01L 21/90 K
