特許

J-GLOBAL ID：200903095874085410

薄膜ガスセンサ

発明者： 鈴木 卓弥 ,  小野寺 克己 ,  国原 健二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-033325
公開番号（公開出願番号）：特開2001-221760
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 十分な応答性を有し、ガス選択性に優れ、妨害物質が共存するような劣悪な環境下にあっても安定に動作する薄膜ガスセンサを提供可能とする。【解決手段】 フィルタ層8として、一次粒子径が1.0μm以下のAl2O3,Cr2O3,Fe2O3,Ni2O3,ZnO,SiO2などの多孔質金属酸化物を用い、膜厚を酸化物一次粒子径から最大100μmにすることにより、掲記課題の解決を図る。

請求項（抜粋）：

薄膜状の支持膜の外周部または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイヤフラム様の支持基板上に、薄膜のヒーターを形成し、この薄膜のヒーターを電気絶縁膜で覆い、その上にヒーターおよびガス感知膜用の電極を形成し、さらに半導体薄膜によりガス感知膜を形成した後、その最表面にフィルタ層を設けてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記フィルタ層をAl2O3,Cr2O3,Fe2O3,Ni2O3,ZnO,SiO2のいずれかを含む多孔質金属酸化物から形成することを特徴とする薄膜ガスセンサ。

FI (2件)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 C

Fターム (21件)：

2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BD03 ,  2G046BD06 ,  2G046BE03 ,  2G046DB04 ,  2G046EA07 ,  2G046EA10 ,  2G046EA11 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE10 ,  2G046FE12 ,  2G046FE25 ,  2G046FE38 ,  2G046FE48

引用特許：

審査官引用 (3件)

• マイクロセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-335155   出願人：株式会社トーキン
• ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-188788   出願人：株式会社リコー
• 特開昭63-067556