特許
J-GLOBAL ID：200903095874407883
基板検査方法および基板検査システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269346
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323538
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 基板の表面電位を定量的に測定することができる基板検査方法および基板検査システムを提供する。【解決手段】 基板42に電子ビーム5を照射する一次光学系1と、電子ビーム5の照射を受けて発生した二次電子および反射電子を二次ビーム6として検出し、画像信号として出力するMCP検出器31と、電子ビーム5を偏向させて基板42の表面に略垂直に入射させるとともに二次ビーム6を直進させるウィーンフィルタ41を含み、二次ビーム6を拡大投影してMCP検出器31に結像させる二次光学系2とを備えた基板検査システム20を用いて、基板42の異なる領域71,72から発生した二次ビーム73,74がそれぞれMCP検出器31に結像するように、二次光学系2を制御し、それぞれの結像条件と基板42の表面の電位分布との相関関係に基づいて、箇所71,72間の電位差を定量的に測定する。
請求項（抜粋）：
検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、前記電子ビームを偏向させて前記基板の表面に略垂直に入射させる過程と、前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、前記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、前記二次電子および反射電子の放出エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる前記二次ビームの結像条件に基づいて前記二次ビームを制御し、前記基板に形成された配線の電気的特性不良を検査することを特徴とする基板検査方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01R 1/06
, G01R 31/302
, H01J 37/29
H01L 21/66 C
, H01L 21/66 J
, G01R 1/06 F
, H01J 37/29
, G01R 31/28 L
2G011AB00
, 2G011AE00
, 2G011AE01
, 2G032AA00
, 2G032AD08
, 2G032AE08
, 2G032AE09
, 2G032AF08
, 4M106BA02
, 4M106CA08
, 4M106CA16
, 4M106DH07
, 4M106DH24
, 4M106DJ04
, 4M106DJ11
, 4M106DJ14
, 4M106DJ21
, 4M106DJ23
