特許

J-GLOBAL ID：200903095889246460

半導体装置の製造方法及びアニール装置

発明者： 竹中 敏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-065222
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260710
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 非晶質の半導体膜が結晶化していくときの光学特性の変化に合わせたランプアニール条件を設定することにより、良質の半導体膜から半導体素子を形成することのできる半導体装置の製造方法およびアニール装置を提供すること。【解決手段】 ガラス製等の基板50上に低温プロセスで非晶質シリコン膜からなる半導体膜100を形成した後(成膜工程)、ランプアニールを施して半導体膜100を多結晶化させる(結晶化工程)。この工程では、非晶質のシリコン膜(半導体膜100)のバンドギャップからみて最適なエネルギーの第1のランプ光L11(1.6eV以上のエネルギーの光/波長が700nm以下の光)を照射した後、結晶性のシリコン膜(半導体膜100)のバンドギャップからみて、この半導体膜100に吸収可能なエネルギーの第2のランプ光L12(1.1eV〜1.6eVのエネルギーの光/波長が700nm〜1130nm以上の光)を照射する。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体膜を形成する成膜工程と、該成膜工程により形成した半導体膜に対してランプアニールを行って当該半導体膜を結晶化させる結晶化工程とを少なくとも有する半導体装置の製造方法において、前記結晶化工程では、非晶質の半導体膜のバンドギャップよりも大きなエネルギーの第1のランプ光を含む光を前記半導体膜に照射する第1のランプアニール処理と、単結晶の半導体膜のバンドギャップよりも大きく、且つ非晶質の半導体膜のバンドギャップよりも小さなエネルギーの第2のランプ光を含む光を前記半導体膜に照射する第2のランプアニール処理とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 21/26 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/26 F ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (53件)：

2H092JA25 ,  2H092JA36 ,  2H092JA44 ,  2H092JB44 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA12 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA35 ,  2H092MA41 ,  2H092NA22 ,  2H092PA13 ,  2H092QA07 ,  2H092QA10 ,  5F052AA24 ,  5F052CA01 ,  5F052CA03 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052HA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA05 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110PP02 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 加熱処理方法および加熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074425   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-266424